通信无线·半导体

日本富士通拟自行设计 2nm 芯片,委托台积电代工

  11 月 9 日消息,日本科技大厂富士通(Fujitsu)的高层表示,该公司计划自行设计 2 纳米制程的先进半导体,并打算委托台积电代工生产。

  据《日本经济新闻》报道,富士通首席技术官 Vivek Mahajan 周二在一场记者会上表示,该公司计划自行设计 2 纳米制程的先进半导体,打算委托晶圆代工龙头台积电代为生产。

  报道指出,富士通目标最快在 2026 年完成搭载该芯片的节能中央处理器 (CPU)。

  IT之家了解到,台积电目前计划在 2025 年量产 2 纳米的芯片,该公司的先进制程技术蓝图目前只揭露到 2 纳米,而对手三星电子日前已宣布将于 2027 年量产 1.4 纳米芯片,另外英特尔也透露 Intel 18A (相当于 1.8 纳米) 测试芯片将于今年底前试产。

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