4 月 1 日消息，据外媒 Semiconductor Engineering 报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。
DRAM 内存行业将于本十年后期将线宽压缩至 10nm 以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括 3D DRAM 在内的多种创新型内存设计。
三星在 Memcon 2024 的幻灯片上展示了两项 3D DRAM 内存新技术，包括垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠 DRAM（Stacked DRAM）。
相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻蚀工艺精度的要求。
相较现有 2D DRAM 结构，堆叠 DRAM 可充分利用 z 方向空间，在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容纳提升至 100G 以上。
3D DRAM 市场有望于 2028 年达到 1000 亿美元（IT之家备注：当前约 7240 亿元人民币）。为了同其他主要内存制造商竞争，三星已于今年初在美国硅谷开设了一家新的 3D DRAM 研发实验室。
