设备成本渐成先进制程重要因素，Hyper NA EUV 光刻机价格恐破万亿韩元大关

7 月 2 日消息，韩媒《朝鲜日报》近日表示，ASML 预计于 2030 年左右推出的下一代光刻设备 —— Hyper (0.75) NA EUV 光刻机价格可能会突破一万亿韩元（IT之家备注：当前约 52.67 亿元人民币）大关。

▲ ASML 光刻机路线图

报道指出，传统的 Low (0.33) NA EUV 光刻机单台约为 2500 亿韩元（当前约 13.17 亿元人民币），目前已开始交付的 High (0.55) NA EUV 光刻机单价已升至 4000~5000 亿韩元（当前约 21.07 ~ 26.34 亿元人民币）。

而 HXE 系列 Hyper NA EUV 光刻机的价格将在 High NA EUV 的基础上再次翻倍。

▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机

考虑到光刻机越发昂贵，设备成本问题已成为各先进制程代工厂规划未来工艺时的重要考虑因素：

台积电在其首个 BSPDN 节点 A16 上不会采用 High NA EUV；三星电子在 SF1.4 节点的宣传中未提到 High NA；对 High NA 最积极的英特尔也将实际应用放到了 Intel 14A 上。

接近台积电的消息人士向韩媒表示，台积电考虑充分发挥其在多重图案化上的技术积累，尽可能使用现有 Low NA 设备实现先进工艺，推迟 High / Hyper NA 的导入。

而接近三星电子的消息人士则称，随着 Hyper NA EUV 出现在 ASML 的产品规划上，三星电子也在审查自身路线图。

这位消息人士认为，考虑到最终将过渡到 Hyper NA，积极引入已很昂贵的 High NA EUV 光刻机可能是一个糟糕选择。三星电子不排除跳过 High NA 直接转向 Hyper NA 的可能。