7 月 22 日消息，TrendForce 集邦咨询在今日公布的最新研报中表示，在 HBM 和 QLC 崛起的带动下，2024 年 DRAM 内存和 NAND 闪存产业的营收年增幅度均将超过七成。
具体而言，DRAM 内存产业的营收将达 907 亿美元（IT之家备注：当前约 6602.49 亿元人民币），环比增长 75%；而 NAND 闪存产业的营收将达 674 亿美元（当前约 4906.37 亿元人民币），环比增长 77%。
展望 2025 年，该机构预计 DRAM 内存、NAND 闪存产业的营收还将分别出现 51% 和 29% 的环比增长，分别达到 1365 亿美元和 870 亿美元。
DRAM 内存
研报提到，2024、2025 两年的 DRAM 内存均价分别将上涨 53% 和 35%。
而驱动 DRAM 内存产业持续快速增长的主要因素包括四项：HBM 崛起、一般型 DRAM 产品世代演进、原厂资本支出限缩供给、服务器需求复苏。
其中 HBM 内存的火热将同步提升位元需求和产业平均价格，预估今年 HBM 将贡献 DRAM 位元出货量 5%，营收贡献则可达到 20%；
此外，服务器 DDR、移动 LPDDR 内存的世代更替同样也有助于高附加价值产品的渗透，进而推高 DRAM 内存平均价格。
研报预估 DDR5 内存将在 2024、2025 两年的服务器 DRAM 位元出货量中分别占据 40% 和 60~65%；而 LPDDR5 (X) 在今明两年也将分别贡献移动内存位元出货量的 50% 和 60%。
NAND 闪存
对于 NAND 闪存来说，其明年产业增长动力除与 DRAM 内存相同的原厂资本支出限缩供给、服务器需求复苏外，还包括 QLC 企业级固态硬盘的崛起和智能手机对 QLC UFS 闪存的导入。
北美云服务供应商已开始在 AI 推理服务器上大规模应用 QLC 企业级固态硬盘，尤其是 QLC 的大容量型号。
研报预计部分中国业者将从今年 4 季度起在智能手机中搭载 QLC UFS 存储，而苹果 iPhone 则将从 2026 年开始导入此类产品。
种种因素推动下，QLC 闪存将在今年贡献整体 NAND 位元出货量的 20%，明年这一数值还将进一步提升。
产业资本支出
机构预估 DRAM 内存和 NAND 闪存产业在 2025 年的资本支出将同比增长 25% 和 10%，且有进一步上升势头。
